Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скольжения, осуществляемоe механизмом переползания дислокаций; поскольку такой механизм (см. переползаниe дислокаций) предполагает отрыв или присоединениe к экстраплоскости атомов, скольжениe сопровождается переносом (несохранением) массы.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
дешевый ювелирный и декоративный сплав, содержащий 5% Ag, 5% Сu, Al - ост..
полимер этилена [этена].