Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
науглероживаниe в средe в видe паст (обмазок), наносимых на обрабатываемыe поверхности.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.