Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
значение напряжения анода, при котором в магнетроне возникают СВЧ колебания определенного вида.
Важной задачей при создании микроволновых (СВЧ) промышленных установок является определение фактической мощности, идущей в технологический реактор. При воздействии микроволновой энергии на материал в реакторе часть мощности отражается в генератор из-за изменений свойств обрабатываемого материала, а именно: из-за изменения диэлектрических свойств при изменении температуры, из-за уменьшения массы и влажности в процессе сушки, из-за изменения граничных условий в реакторе при перемещении обрабатываемого материала. Кроме того, отраженная волна существенно влияет на режим работы магнетрона. Целью данной статьи является определение микроволновой мощности, идущей в нагрузку, по форме анодного тока в низкочастотной цепи питания магнетрона. В статье показано, что по изменениям формы тока для трансформаторного (построенного с использованием высоковольтного трансформатора и схемы удвоения напряжения) и инверторного блоков питания можно определять мощность, переданную обрабатываемому продукту. П...
Проведена оценка эффективности использования объемных СВЧ-резонаторов для создания плазмы большого объема (более 4000 см3) низкого вакуума для целей групповой обработки изделий в технологии микроэлектроники. Результаты показали, что в резонаторной системе величина пробивной напряженности электрического поля порядка E 0 ≈ 110 QUOTE В/см для низкого вакуума может достигаться уже при СВЧ-мощностях свыше 50 Вт. Применительно к условиям возбуждения и поддержания СВЧ-плазмы технологического назначения проведен анализ условий сохранения резонатором резонирующих свойств при возбуждении в нем плазмы объемом около 9000 см3 и помещении в СВЧ-разряд разного количества кремниевых пластин. Результаты расчетов показывают, что изменение добротности объемного резонатора, обусловленной частичным заполнением его полупроводниковыми пластинами, приводит к уменьшению общей добротности нагруженного резонатора до 2,5 раз. При этом, к примеру, для возбуждения СВЧ-разряда при общей добротности нагруженного р...
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
предел разрешения ЭОП при заданных освещенности и контрасте штриховой миры.
математическое ожидание длины серии выборок.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве