Глобальная оптимизация радиоэлектронной схемы
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
Напряжение отсечки полевого транзистора
Предмет
Электроника, электротехника, радиотехника
👍 Проверено
Автор24
напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n-переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
Научные статьи на тему «Напряжение отсечки полевого транзистора»
Расчет транзистора
В радиотехнике самыми распространенными транзисторами являются полевые и биполярные....
У полевых транзисторов управление выходным электрическим током осуществляется электрическим полем....
Достоинство полевого транзистора заключается в том, что электрический ток затвора (входного электрода...
К основным параметрам полевых транзисторов можно отнести:
Напряжение отсечки....
следующим образом:
Uб = Uэ + Uбэ
где, Uбэ-напряжение рабочей точки транзистора.
Статья от экспертов
Влияние гамма-излучения на элементы аналоговых интегральных схем
Рассмотрено влияние гамма-излучения Co 60 на характеристики элементов аналоговых интегральных схем (ИС): входную вольтамперную характеристику (ВАХ) в схеме с общей базой (ОБ), выходную ВАХ в схеме общим эмиттером (ОЭ), зависимость статического коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ (β) от коллекторного тока ( IC ) для n-p-n и p-n-p -транзисторов, выходную ВАХ полевого транзистора с p-n -переходом и каналом p -типа ( p -ПТП) в схеме с общим истоком (ОИ). Установлено, что уменьшение напряжения отсечки p -ПТП не превышает 3 %, а максимального тока стока менее 5 % при поглощенной дозе D = 5,345 Мрад. Максимум зависимости β = f ( IC ) n-p-nи p-n-p -транзисторов уменьшается и сдвигается в область больших коллекторных токов при D < 0,845 Мрад. При поглощенной дозе, превышающей 0,845 Мрад, максимум β n-p-n -транзисторов слабо снижается, а для p-n p -транзисторов немного увеличивается (частично восстанавливается).
Creative Commons
Научный журнал
Биполярные транзисторы, полевые транзисторы, каскад на биполярном транзисторе
эмиттерный переход - обратное смещение, коллекторный прямое), насыщенный режим (оба перехода открыты), режим отсечки...
Полевые транзисторы
Определение 3
Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, принцип работы...
Полевые транзисторы очень востребованы в производстве аналоговых и цифровых интегральных схемах....
Яркими примерами устройств на основе полевых транзисторов являются пульт дистанционного управления и...
Полевые транзисторы делятся на:
Транзисторы с управляющим p-n переходом.
Статья от экспертов
Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»
Несоприкасающиеся контуры (сигнального) графа
контуры сигнального графа, не имеющие общих узлов.
Проводимость
величина обратная сопротивлению.
- Пороговое напряжение полевого транзистора
- Шумовое напряжение полевого транзистора
- Полевой транзистор
- Время включения полевого транзистора
- Время выключения полевого транзистора
- Время нарастания для полевого транзистора
- Время спада для полевого транзистора
- Входная емкость полевого транзистора
- Выходная емкость полевого транзистора
- Коэффициент шума полевого транзистора
- Крутизна характеристики полевого транзистора
- Полевой (униполярный, канальный) транзистор
- Полевой транзистор с изолированным затвором
- Проходная емкость полевого транзистора
- Шумовое сопротивление полевого транзистора
- Шумовой ток полевого транзистора
- Угол отсечки
- Время задержки включения полевого транзистора
- Время задержки выключения полевого транзистора
- Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
