Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Оптоэлектронные устройства (полупроводниковые лазеры, светодиоды, солнечные элементы, фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы...
) задается обратный ток и измеряется обратное напряжение....
Само измерение напряжения на резисторе осуществляется высокоомным вольтметром постоянного тока....
виде линейного активного четырехполюсника с различными вариантами включения (с общей базой, с общим эмиттером...
Один из зажимов омметра подключается к базе триода, а второй поочередно к эмиттеру и коллектору.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
предел разрешения ЭОП при заданных освещенности и контрасте штриховой миры.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве