Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
напряжение на управляющем электроде, вызывающее изменение параметра электронно-лучевого прибора от уровня запирания до заданного значения.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.