Аналоговые электронные устройства (АЭУ)
устройства усиления и обработки аналоговых электрических сигналов, выполненные на основе электронных приборов.
возбуждение лазерного активного элемента, приводящее к возникновению лазерной активной среды.
Систему накачки. Оно создаёт инверсию в активной среде.
Оптический резонатор....
Примеры лазеров
Рубиновый лазер....
Накачка рубина реализуется светом мощных вспышек ламп....
Существуют также: лазеры на углекислом газе, ионные лазеры, эксимерные лазеры, лазеры на красителях,...
Данный факт облегчает получение инверсии и увеличивает эффективность накачки.
Представлены результаты исследований полупроводниковых источников накачки для CuBr -лазеров различной геометрии. Про демонстрирована возможность создания твердотельных высокочастотных (свыше 100 кГц) источников накачки. Проведены ис следования схемы накачки при работе на активную нагрузку экспериментальным путем и моделированием в пакете прикладных программ
Классификация лазеров
Определение 1
Лазер — это устройство, которое преобразует энергию накачки...
Основными элементами лазера являются рабочая среда (активная), оптический резонатор и система накачки...
Полупроводниковые лазеры.
Лазеры на красителях.
Газовые лазеры.
Лазеры на свободных электронах....
Инверсная населенность в инжекционном лазере создается посредством накачки его активной среды электрическим...
Для поддержания инверсной населенности нужно затрачивать энергию накачки, которая поступает от источника
Рассмотрена конструкция лазера на красителях имеющей систему накачки с применением полупроводниковых лазеров. Краситель был изготовлен растворением отломков от CD-диска на ацетоне. Для системы накачки использовали 10 параллельно подключенных полупроводниковых лазерных диодов CdS. Измерения показали, что предлагаемая конструкция может дать стабильное лазерное излучение с мощностью до 30 Вт.Dye laser having pumping systems using semiconductor lasers have been considered. The dye after dissolution of CD disk fragments in acetone has been made. For dumpingsystem we use 10 parallel connected semiconductor laser diodes CDs. The carrying out measurements showed that the proposed ourselves construction allows reaching laser radiation power up to 30 Vt.
устройства усиления и обработки аналоговых электрических сигналов, выполненные на основе электронных приборов.
радиочастоты 30-300 ггц.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве