Гибридный фоточувствительный прибор с переносом заряда
фоточувствительный прибор с переносом заряда, состоящий из нескольких полупроводниковых кристаллов, фоточувствительных модулей, схем коммутации и управления.
совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам (матрица полупроводниковых приборов).
Введение
Для того чтобы оптимизировать энергетические процессы при объединении полупроводникового оборудования...
управление, в общем электромагнитном поле электронного модуля следует дополнительно исполнить следующий набор...
Проблема состоит в том, что успешность теоретических исследований открытых полупроводниковых систем возможна...
Для определения эквивалентных схем, призванных заместить открытую систему полупроводниковых приборов,...
можно видеть, что проволочные контактные соединения и металлические электроды, корпус электронного прибора
Определен набор взаимно дополняющих характеристик, а также выбраны реализующие их измерительные методики, используемые для исследования электрических свойств полупроводниковых приборов и структур. Выбор методик основан на достижении широкого частотного и динамического диапазонов, высокой точности измерений, а также технической простоты реализации методики и возможности ее автоматизации. Приведено описание конструкции и измерительных возможностей разработанного автоматизированного комплекса. Экспериментальные исследования емкостных свойств гетероструктур из InGaN/GaN и шумового напряжения фоторезистора из CdSe подтвердили широкие метрологические возможности и высокую точность измерения параметров полупроводникового прибора.
Определение 1
Элементная база – это электронные компоненты, из которых создаются электронные приборы...
Они представляют собой упорядоченный набор триггеров....
Элементной базой таких машин являлись полупроводниковые приборы....
Появление полупроводниковых приборов способствовало увеличению емкости оперативной памяти электронно-вычислительных
Полупроводниковые гетероструктуры лежат в основе конструкций современных транзисторов, приборов квантовой электроники, СВЧ-техники, электронной техники для систем связи, телекоммуникаций, вычислительных систем и светотехники. В работе описаны процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров с учетом влияния воздействий ионизирующих излучений, позволяющих расширить область их применения и повысить надежность радиоэлектронной аппаратуры. Проведено исследование влияния облучения на параметры гетерои полупроводниковых структур, изготовленных по различным конструктивно-технологическим вариантам. Исследования проводились в том числе с использованием метода напряжения плоских зон и определения времени релаксации. Показано, что с увеличением дозы ионизирующих частиц плотность заряда в диэлектрике растет, достигает насыщения при дозе 108109 рад, а величина встроенного заряда и механические напряжения в многослойных диэлек...
фоточувствительный прибор с переносом заряда, состоящий из нескольких полупроводниковых кристаллов, фоточувствительных модулей, схем коммутации и управления.
идеальный элемент электрической цепи (идеальный конденсатор), обладающий только электрической ёмкостью.
восьмиэлектродная электронно-управляемая лампа, имеющая анод, катод, управляющий электрод и пять дополнительных электродов.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве