Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
потери мощности обратного восстановления в диоде или тиристоре, определяемые рассасыванием заряда за время обратного восстановления.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
газовый лазер, в котором лазерные переходы происходят между уровнями энергии молекул.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне