Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
выходная мощность прибора СВЧ в режиме насыщения.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
внутренний элемент газоразрядного прибора для поддержания необходимого давления газа.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.