Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
бuполярный -транзистор с изолированным затвором, биполярный транзистор, управляемый структурой металл - оксид - полупроводник.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
электрическая лампа, предназначенная для накачки лазера.
зависимость выходного напряжения от входного.