Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
трещина, расположенная на границе зерна.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
сложнолегированные никелевые кислотостойкие сплавы, содержат 18-22% Сr, 6% Mo, 6% Fe, 6% Сu, 3% W, 2% Al, 0,02% Ti.
коррозионный элемент, имеющий более двух электродов.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве