Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
метод измерения намагниченности, заключающийся в перемещении образца по каналу в полюсах электромагнита, в межполюсном пространстве которого установлена измерительная катушка.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
пластмасса с использованием стирола или сополимеров стирола в сочетании с другими мономерами, причем стирол присутствует в наибольшем количестве.
изменение линейных размеров тел при изменении температуры.