Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
метод синтеза модели дифракционной структуры элементно представленной амплитудной безопорной, основанный на синтезе модели объектной волны, синтезе комплексноймодели дифракционной структуры и ее преобразовании в амплитудную модель дифракционной структуры путем представления дискретных значений функции пропускания с помощью трех или четырех унитарных элементов с амплитудным типом модуляции, расположенных вдоль одного направления в плоскости материального носителя; данный метод известен как метод Ли (четырехэлементный макропиксель) и метод Буркхардта — Ли (трехэлементный макропиксель).
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения.
фотометр для измерения углового распределения световых характеристик среды или поверхности.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне