Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
выраженная в миллиметрах толщина медного слоя, ослабляющего мощность экспозиционной дозы рентгеновского излучения в той же мере, что и баллон рентгеновского прибора в месте выхода рабочего пучка.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
радиочастоты 300-3000 ггц.
ветвь графа, не принадлежащая дереву графа.