Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
отношение максимальной скорости изменения потока магнитной индукции в магнитном материале к разности между максимальной напряженностью перемагничивающего магнитного поля и динамическим пороговым полем.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
коррозионный элемент, имеющий более двух электродов.