Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
максимальная постоянная мощность, которая может быть рассеяна полупроводниковым прибором при максимальной температуре перехода (канала) и нормированной температуре корпуса ( обычно 25 °С) с гарантируемыми параметрами надежности.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
предоставление электрической энергии от источника.