Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
анизотропия намагничивания монокристалла ферромагнетика, вызванная анизотропией магнитострикции и/или анизотропией упругих напряжений.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.