Мощность накачки излучателя лазера
мощность, подводимая к излучателю лазера.
магнетрон, содержащий третий электрод, предназначенный для осуществления амплитудной или частотной модуляции выходного сигнала.
Двухслойную тонкопленочную композицию Al/Ti формировали последовательным магнетронным напылением слоев Ti (40нм) и Al (400нм) на стеклянные пластины. Наноструктурированные металлоксидные пленки получали анодированием системы в трех различных электролитах при напряжениях 195, 80 и 25 В. Наночастицы металлов, остающиеся на границе раздела пленка/подложка, пробовали окислять с помощью высоковольтного реанодирования и термообработки. С помощью электронной микроскопии и электрических измерений установлено, что для образцов, полученных при 80 и 25 В частицы Al и Ti могут быть полностью оксидированы, а для образцов, полученных при 195 В алюминий остается в виде наноразмерной сетки с контролируемым сопротивлением. Полученные пленки могут применяться в качестве диэлектрических темплатов, микрорезисторов и оптических покрытий.
Разработан оптический метод определения степени ионизации потока атомов металла, используемого для осаждения пленок в глубоких субмикронных структурах, применяемых при создании современных СБИС. Степень ионизации потока атомов металла определяется как отношение потока ионов к полному потоку металла, состоящего из атомов и ионов. Нами разработан новый метод с использованием лазерного излучения, позволяющий измерять непосредственно в плазме (in situ). Этот метод основан на свойстве тонких металлических пленок, когда коэффициент отражения линейно зависит от толщины пленки. В качестве подложки использовалась прозрачная кварцевая пластина размером 120х30х20 мм 3. На переднюю (обращенную к плазме) поверхность пластины осаждается металлическая пленка. Луч полупроводникового лазера направлялся на заднюю поверхность пластины, проходит через нее и отражается от поверхности, на которой осаждается пленка металла. Большая толщина пластины (20 мм) выбиралась для того, чтобы возможно дальше разв...
мощность, подводимая к излучателю лазера.
емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.
возврат электроэнергии в сеть.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве