Магнетрон с поверхностной волной

Предмет Электроника, электротехника, радиотехника

👍 Проверено Автор24

магнетрон, электромагнитное поле замедляющей системы которого в основном сосредоточено вблизи поверхностности анода; ак правило, взаимодействие электронного потока с электромагнитной волной осуществляется на п-виде колебаний.

Скачать

Научные статьи на тему «Магнетрон с поверхностной волной»

Вакуумная электроника

Поверхностные явления (образование неоднородностей и пленок на поверхности изоляторов и электронов)....
К данной группе приборов относятся лампы с электростатическим управлением, лампы обратной волны, диодные...
сверхвысокочастотные генераторы, клистроны, магнетроны, лампы бегущей волны.

Статья от экспертов

Получение методом магнетронного распыления пленок AlN для устройств на поверхностных акустических волнах

Пленки AlN выращивали при низких температурах (370-570 К) на подложках различных материалов высокочастотным магнетронным реактивным распылением мишеней из Al. Методами растровой электронной микроскопии, рентгеновской дифрактометрии и спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы состав и строение пленок AlN. Показано, что полученные пленки AlN обладают пьезоэлектрическим эффектом. Представлены линии задержки на поверхностных акустических волнах на основе слоистых структур, содержащих пьезоэлектрическую пленку AlN.

Creative Commons

Научный журнал

Механизмы образования слоистых многофункциональных покрытий на основе карбида кремния

Изучены закономерности структурообразования в тонкопленочном покрытии, наносимом на кристаллы алмаза магнетронным распылением комбинированного катода (Si + C). Установлено, что в процессе конденсации тонкопленочного покрытия (до 20 нм) формируется аморфный слой из смеси атомов Si и C, обработка которого плазмой тлеющего разряда сопровождается воздействием частиц плазмы с формированием поверхностных волн, что способствует перемещению активных атомов углерода и образованию более сильной связи Si-C. В покрытиях (Si + C) толщиной свыше 100 нмРефератыструктурообразование протекает по диффузионному механизму при низких температурах (650-850 ºС) с образованием α-SiC с аморфным слоем. Твердофазное реакционное спекание простых элементов (кремния и углерода) в нанопокрытиях, полученных на алмазных порошках, позволяет изготовить композиты из таких порошков с заданным комплексом свойств за счет управления строением зоны соединения частиц на атомном и кластерном уровнях.

Creative Commons

Научный журнал

Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»

Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!

Напиши термин
Выбери определение из предложенных или загрузи свое
Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек

Попробовать тренажер