Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики.
Диоды классифицируются по:
Назначению на генераторные, выпрямительные, импульсные, умножительные, параметрические...
Конструкции на туннельные, лавинные, лавинно-пролетные, диоды Шотки, стабилитроны, фотодиоды и другие...
Исследование полупроводникового диода и его основные параметры
Исследование полупроводникового диода...
Электрический пробой может быть двух видов - лавинный туннельный....
диод в прямом направлении.
Приведен обзор результатов по исследованию диффузии примесей в арсениде галлия, диффузионным структурам и приборам, полученным сотрудниками Сибирского физико-технического института и НИИ полупроводниковых приборов за период с 1959 по 2004 г. Систематизированы данные по диффузии в GaAs примесей элементов II, IV, VI групп и переходных элементов периодической системы. Изложены результаты исследования характеристик p n-переходов и нетрадиционных р н n-структур на основе GaAs с глубокими центрами. Приведены параметры разработанных GaAs-приборов на основе p n-перехода: выпрямительного диода, диодного датчика температуры, биполярных транзисторов и р н n-структур: лавинных S-диодов и триодов, фотоприемников, детекторов высокоэнергетических заряженных частиц, рентгеновского и гамма-излучения.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
идеальный элемент электрической цепи (идеальный конденсатор), обладающий только электрической ёмкостью.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве