Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
мартенсит с низким содержанием углерода, образующийся при закалке низкоуглеродистой стали или при отпуске средне- и высокоуглеродистой стали, вследствие выделения ε-карбида.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
прибор для проведения Оже-спектроскопии.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.