Вспышка (мигание) изображения ЭОП
кратковременное увеличение (уменьшение) яркости изображения на выходе электронно-оптического преобразователя.
Крутизна характеристики полевого транзистора
Предмет
Электроника, электротехника, радиотехника
👍 Проверено
Автор24
отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
Научные статьи на тему «Крутизна характеристики полевого транзистора»
Истоковый повторитель на МДП транзисторе
— это схема на полевом транзисторе, в которой стандартное напряжение снимается с резистора в цепи истока...
по напряжению рассчитывается по следующей формуле:
$К = (S*rds*Rl) / ((rds+Rl)*(1+S*rds))$
где: S - крутизна...
транзистора; rds - внутреннее сопротивление канала транзистора в активном режиме....
с максимальной крутизной (то есть быть близкой к нулю)....
Крутизна передаточной характеристики в рабочей точке рассматриваемого повторителя рассчитывается по формуле
Статья от экспертов
Прибор для измерения крутизны маломощных полевых транзисторов
Представлена разработка прибора на базе микроконтроллера для измерения крутизны маломощных полевых транзисторов. Приведены структурная схема, принципиальная электрическая схема, а также алгоритм работы прибора. Дана принципиальная схема блока питания устройства и его нагрузочные характеристики. Результаты измерения крутизны полевых транзисторов различных типов представлены в виде таблицы.
Creative Commons
Научный журнал
Моделирование структур аттенюаторов на полевых транзисторах с минимальным изменением фазового сдвига при регулировании ослабления
Рассмотрены управляемые аттенюаторы поглощающего типа на полевых транзисторах с затвором Шоттки: Т-образная, Т-образная мостовая схемы и аттенюатор на транзисторе в режиме с управляемой крутизной вольтамперной характеристики. Проведено моделирование фазочастотных характеристик аттенюаторов. Главное отличие схем от ранее известных заключается в введении корректирующих цепей, что обуславливает широкополосность и больший диапазон вносимых ослаблений с минимумом фазового сдвига при регулировании. Найдены оптимальные параметры корректирующих цепей в аттенюаторах. Показано, что наименьший фазовый сдвиг обеспечивается в аттенюаторе на транзисторе в режиме с управляемой крутизной вольтамперной характеристики. Дана сравнительная оценка рассмотренных базовых структур.
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»
Детекторный полупроводниковый диод
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
Крайне высокие частоты
радиочастоты 30-300 ггц.
- Полевой транзистор
- Крутизна характеристики по подложке
- Время включения полевого транзистора
- Время выключения полевого транзистора
- Время нарастания для полевого транзистора
- Время спада для полевого транзистора
- Входная емкость полевого транзистора
- Выходная емкость полевого транзистора
- Коэффициент шума полевого транзистора
- Напряжение отсечки полевого транзистора
- Полевой (униполярный, канальный) транзистор
- Полевой транзистор с изолированным затвором
- Пороговое напряжение полевого транзистора
- Проходная емкость полевого транзистора
- Шумовое напряжение полевого транзистора
- Шумовое сопротивление полевого транзистора
- Шумовой ток полевого транзистора
- Крутизна характеристики (Forward transcondunctance)
- Время задержки включения полевого транзистора
- Время задержки выключения полевого транзистора
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
