Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
минимальный размер зародыша, с которого начинается его устойчивый рост.
Приведены результаты расчета критического размера зародыша кристаллической фазы карбида титана в ходе реализации процесса самораспространяющегося высокотемпературного синтеза в расплаве алюминия. На основе экспоненциальной зависимости скорости диффузии от абсолютной температуры сделано предположение о наноразмере получаемых частиц карбидной фазы. С применением формулы Селякова Шеррера по дифрактограммам образцов определены реальные размеры частиц карбида титана, подтвердившие их нанодисперсный уровень.
Рассматривается термодинамика процесса зародышеобразования продуктов химических реакций в растворе для случая, когда реагенты растворимы, а продукты реакций нерастворимы в исходном растворе. Получены уравнения, описывающие термодинамику процесса образования критических зародышей, и предложен алгоритм расчета размеров и состава критических зародышей продуктов реакций.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
изменение линейных размеров тел при изменении температуры.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве