Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
наибольшая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
интервал времени между моментом поступления импульса излучения на фотокатод и моментом появления сигнала в цепи анода фотоумножителя.
составляющая шума прибора СВЧ, вызванная тепловым движением носителей заряда.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне