Ионный отражатель
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
часть полупроводниковой пластины в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки.
Для кристаллов интегральных микросхем (ИМС) энергонезависимой памяти предлагается способ прогнозирования времени хранения информации после отключения питания. Прогнозирование выполняется с использованием ускоренных испытаний, в качестве которых рассматриваются температурные воздействия, сопровождающие технологические операции помещения кристалла в корпус и сборки ИМС. Для комплекса воздействий с учетом всех технологических операций сборки ИМС выполнена оценка коэффициента ускорения испытаний и для нормальных условий эксплуатации кристалла ИМС найдено гарантированное время хранения информации после отключения питания.
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
газовый лазер, в котором лазерные переходы происходят между уровнями энергии молекул.
печатный проводник, вдоль которого распространяется электромагнитная энергия.