Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
охрупчивание сплавов при высоких температурах или горячем деформировании, вызываемое оплавлением границ зерен; например, в стали красноломкость вызывается расплавлением серосодержащих легкоплавных эвтектик.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).