Зона проводимости полупроводника
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
контур произвольной формы, построенный в реальном кристалле путем последовательного обхода дислокации от атома к атому, не выходя из области хорошего кристалла.
Методом рассеянных волн с Ха -приближением для потенциала исследовано влияние протяженных дефектов типа краевой и винтовой дислокаций на электронное строение монослоя из 35 атомов кремния, а также рассмотрены особенности электронного строения нанотрубки.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.