Водопоглощение диэлектрика
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
контур произвольной формы, построенный в реальном кристалле путем последовательного обхода дислокации от атома к атому, не выходя из области хорошего кристалла.
Методом рассеянных волн с Ха -приближением для потенциала исследовано влияние протяженных дефектов типа краевой и винтовой дислокаций на электронное строение монослоя из 35 атомов кремния, а также рассмотрены особенности электронного строения нанотрубки.
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
рассеяние лучей или элементарных частиц кристаллами или молекулами жидкостей и газов.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне