Водопоглощение диэлектрика
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
контур произвольной формы, построенный в реальном кристалле путем последовательного обхода дислокации от атома к атому, не выходя из области хорошего кристалла.
Методом рассеянных волн с Ха -приближением для потенциала исследовано влияние протяженных дефектов типа краевой и винтовой дислокаций на электронное строение монослоя из 35 атомов кремния, а также рассмотрены особенности электронного строения нанотрубки.
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне