Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.
Существует два основных типа микроэлектронных изделий: интегральные схемы и функциональные компоненты...
В пленочной интегральной микросхеме элементы и элементные соединения выполняются в виде пленок....
У гибридной интегральной микросхемы активные элементы - дискретные, а пассивные пленочные....
Количество элементов в больших интегральных микросхемах может составлять более 1000....
В сверхбольшой интегральной микросхеме количество элементов может достигать 100 000.
Статья открывает цикл публикаций, посвященных новым интегральным микросхемам компании National Semiconductor — импульсным стабилизаторам напряжения серии LMZ со встроенной экранированной катушкой индуктивности. Приводится обзор всей серии LMZ и семейства LMZ105xx. Рассмотрены основные преимущества новых компонентов.
Интегральные устройства
Определение 1
Интегральное устройство – это микроэлектронное устройство...
В пленочных интегральных микросхемах межэлементные соединения и сами элементы сделаны в виде пленок....
Данные микросхемы могут быть тонко- и толстопленочными....
Развертывание микросхемы....
Процесс разработки интегрального устройства подразумевает создание электронных компонентов - транзисторов
Приведены сведения по разработке имитационных (поведенческих) моделей микросхем импульсных преобразователей напряжения для применения в автоматизированном измерительном оборудовании, используемого в испытаниях указанных интегральных микросхем. Выполнено моделирование интегральной микросхемы LM2676 с учетом тепловыделения и учетом взаимного влияния температуры кристалла на внешние электрические характеристики в составе общей поведенческой модели. Получены результаты, совпадающие с экспериментальными данными и со SPICE-моделью на транзисторном уровне, а также зависимости, отражающие влияние температуры кристалла на функционирование микросхемы. Показана возможность использования поведенческих моделей в качестве источника нормативно-справочной информации в процессе тестирования электронных компонентов.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
электрическая цепь, которая может проявлять резонанс.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне