Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
величина, равная отношению комплексной абсолютной диэлектрической проницаемости к электрической постоянной.
В диапазоне частот 10-1000 кГц экспериментально получены температурные зависимости действительной ε’ и мнимой ε’’ компонент комплексной диэлектрической проницаемости и их анизотропии Δ ε жидкокристаллической смеси ЖК-1282 в широком температурном интервале. На основании полученных данных рассчитаны время релаксации, значение энергии активации и коэффициент молекулярного трения. Проведен анализ поведения диэлектрической проницаемости от угла ориентации магнитного поля относительно электрического. Показано, что при низких температурах и частотах внешнего поля влияние эфиров, входящих в состав смеси, играет ключевую роль в релаксационных процессах.
В диапазоне температур 77-270К исследовались температурные зависимости компонентов комплексной диэлектрической проницаемости смеси «гранулированный лед песок» при различных соотношениях льда и песка. Обнаружены аномалии в величинах и концентрационных зависимостях относительной диэлектрической проницаемости. Проведена обработка результатов на основе трех моделей для смесей. Дополнительными экспериментами установлен факт перехода тонкой пленки воды с гранул льда на гранулы песка.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.
изменение линейных размеров тел при изменении температуры.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве