Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
электрический переход между базовой и коллекторной областями, назначением которого является экстракция носителей из базовой области.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.