Гибридный кварцевый генератор
кварцевый генератор, содержащий дискретные элементы и элементы, выполненные методом планарной технологии.
отношение тока вторичной электронной эмиссии к току электронов или ионов, бомбардирующих поверхность электрода.
Определение 2
Электронная эмиссия – это выход электронов из металла, который обусловлен их хаотическим...
Различают термоэлектронную, вторичную электронную и фотоэлектронную эмиссии....
Вторичная электронная эмиссия осуществляется при бомбардировке поверхности металла электронами....
Явление вторичной электронной эмиссии применяется для внутреннего усиления электрического тока....
Коэффициент диффузии, представляющий собой количество частиц, которые проходят через единичную площадку
В данной работе исследовалась зависимость коэффициента вторичной электронной эмиссии от выбранного кристаллографического направления для синтетического монокристалла алмаза IIb типа, выращенного методом температурного градиента. Данный тип алмаза был выбран из-за широкого применения в алмазной микроэлектронике и полупроводниковых свойств. Проведены количественные измерения коэффициентов вторичной электронной эмиссии (ВЭЭ) при энергиях первичного пучка 7 кэВ и выше для различных кристаллографических направлений: самые высокие показатели коэффициента вторичной электронной эмиссии зафиксированы для направления (100), а также в межростовой области, что подтверждается картиной распределения интенсивности свечения различных секторов кристалла, полученной с помощью детектора истинно-вторичных электронов растрового электронного микроскопа. Кристаллографические направления (111) показали коэффициент вторичной электронной эмиссии в 4-5 раз ниже по сравнению с (100) и межростовой областью. Коэ...
Даны объяснения противоречивых результатов в ряде исследований временных характеристик зарядки диэлектрических мишеней под воздействием электронного облучения. Разногласия вызваны различием времен наступления квазиравновесного состояния двух основных параметров зарядки: полного коэффициента вторичной электронной эмиссии и поверхностного электростатического потенциала.
кварцевый генератор, содержащий дискретные элементы и элементы, выполненные методом планарной технологии.
устройство, преобразующее двоичный код в код "1 из N".
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.