отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения.
Нелинейный управляемый элемент, в качестве которого может выступать полевой или биполярный транзистор...
К основным параметрам усилительных каскадов относятся коэффициенты усиления по мощности, напряжению,...
Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе
Основными параметрами, которые биполярных транзисторов...
изображена на рисунке ниже, учитывая, что коэффициент усиления равен 10, а напряжения источника питания...
Схема биполярного транзистора.
Рассмотрены методы проектирования сбоеустойчивых цифровых биполярных интегральных микросхем с воздействием на них таких радиаций как гамма-, рентгеновского и нейтронного излучения, а так же воздействие нейтронного импульса, которые влияют в значительной степени на коэффициенты усиления транзисторов. Представлен режим работы интегральных микросхем с изменением начальных значений напряжений, а так же токов эммитера и базы. Рассмотрены численные расчеты величин ионизационного тока в база-коллекторном переходе, которые позволяют предварительно рассчитать мощность дозы гамма-, рентгеновского и нейтронного излучения. Представлены расчеты величин ионизационных токов, позволяющие решать системы нелинейных дифференциальных уравнений непрерывности и плотности тока для основных и неосновных носителей с учетом влияния на перенос носителей нестационарных электрических полей, возникающих во время протекания ионизационных токов по объему полупроводника, а так же изменения времени жизни неравновесн...
Биполярные транзисторы....
Схема биполярного транзистора....
Преимуществами данной схемы подключения являются большой коэффициент усиления по электрическому току...
и напряжению, большое усиление мощности, достаточно одного источника питания, выходное переменное напряжение...
усилителей мощности усилителей мощности частот звука.
Показана возможность создания кремниевых биполярных мощных СВЧ-транзисторов методом ионного легирования монокремния ионами B+ через слой SiO2 и эмиттерные окна в нем с последующим введением в них ионов P+ и отжигом в атмосфере аргона. Разработанный процесс обеспечивает снижение трудоемкости изготовления и улучшение частотных и мощностных характеристик транзисторов: повышение fгр (IК = 1,5 А) с 1,8 до 2,1 ГГц и с 1,5 до 1,9 ГГц (IК = 2,8 А), Pвых с 20 до 21,3 Вт, коэффициент усиления по мощности с 2,5 до 2,7, коэффициент полезного действия коллектора с 60 до 79,8 %. Рассмотрено формирование карманов n-и p--типа КМОП-структур с применением маски из термического SiO2 без слоя Si3N4. Разработанный процесс обеспечивает снижение трудоемкости изготовления на ~21,5 % и повышение выхода годных структур КМОП ИС на ~4,5 % благодаря снижению величины остаточных напряжений в монокремнии и совершенствованию методов легирования карманов.
насос, встроенный внутрь оболочки генераторной (модуляторной, регулирующей) лампы или соединенный с нею при помощи неразъемного соединения и предназначенный для поддержания в ней необходимого вакуума.
кварцевый генератор, содержащий дискретные элементы и элементы, выполненные методом планарной технологии.
привести к синхронности.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне
