Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Усилители напряжения применяются в первых каскадах усиления и реализуются на транзисторах, которые обладают...
большим коэффициентом усиления, например на полевых....
Данный вид усилителей реализуется на тиристорах, оптронах, транзисторах, фототиристорах, а также на специальных...
С это целью используются многокаскадные схемы включения транзисторов, а также схема катодного повторителя...
Автор24 — интернет-биржа студенческих работ
1 — напряжение шумов; 2 — минимальное входное напряжение,
Рассматриваются проблемы технологии изготовления транзисторов, работающих на сверхвысоких частотах (СВЧ) на примере полевых транзисторов с барьером Шоттки (ПТШ). Описано влияние размеров топологических элементов (затвора ПТШ) на граничную частоту, как на параметр, характеризующий частотные свойства транзистора, и на коэффициент шума, то есть как на усилительную характеристику. Рассмотрен способ улучшения данных параметров путем уменьшения топологического размера элемента транзистора, а именно за счет создания затвора сложной формы с субмикронными размерами. Изложены основные литографические методы планарной технологии, где описаны достоинства и недостатки каждого из них. Сделано заключение, что наиболее целесообразным является метод электронно-лучевой литографии (ЭЛЛ), ввиду преимуществ данных установок перед другим литографическим оборудованием. Показано, что с помощью ЭЛЛ можно получить необходимый профиль в резистной маске для создания Гили Тобразного затвора ПТШ, чего нельзя пол...
различной природы, которые не связаны с воздействием на данные системы случайных внешних сил, в том числе, шумов...
На рисунке ниже представлен пример схемы генератора Хартли на полевом транзисторе.
Рисунок 3....
Схема генератора Хартли на полевом транзисторе....
Автор24 — интернет-биржа студенческих работ
Каскад с общим истоком в генераторах Хартли на полевом транзисторе...
Однако, при таком включении контур шунтируется, поэтому коэффициент включения уменьшают.
Целью данной работы являлось построение и проверка математической модели МОП транзистора со встроенным каналом n-типа, применяемого в радиотехнических цепях и изготовленного с использованием одностадийной диффузии фосфора в кремний из ФАОП с различной величиной легирования. Задачей данного исследования было получение модели, которая даст приемлемое совпадение с экспериментальными данными, и расчет параметров транзистора по этой модели. Новизной данной работы является использование математической модели, разработанной для МОП транзисторов с индуцированным каналом, для описания работы МОП транзисторов со встроенным каналом, после ее небольшой модификации. Произведенная проверка подтвердила возможность такого использования. Построена модель МОП транзистора со встроенным каналом n-типа, созданного при помощи диффузии фосфора в кремний из анодных оксидных пленок. Рассчитаны параметры полевого транзистора: удельная емкость подзатворного диэлектрика, удельная крутизна и ток стока. Показано...
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
электрическая лампа, предназначенная для накачки лазера.
контуры сигнального графа, не имеющие общих узлов.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве