Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
число единичных нагрузок, которые можно одновременно подключать к выходу оптоэлектронного переключателя.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
камера, содержащая в качестве радиатора газ гелий-3.
объект, вносящий фазовую модуляцию в волновой фронт.