Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
отношение максимального коэффициента пропускания оптического модулятора к минимальному.
Представлены результаты исследований электрооптических (ЭО) модуляторов, изготовленных из высокоомных кристаллов KTiOPO 4 (KTP), выращенных в ООО «Кристалл Т». Измерены коэффициенты контрастности и коэффициенты эллиптичности поляризации лазерного излучения, прошедшего через ЭО-модулятор в максимуме и минимуме характеристики пропускания. Исследована зависимость измеренных коэффициентов от направления вектора поляризации входящего оптического пучка в модулятор.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
кварцевый генератор, содержащий дискретные элементы и элементы, выполненные методом планарной технологии.
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.