Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
отношение среднеквадратической амплитуды колебаний боковых частот к амплитуде высокочастотного колебания на выходе интегральной микросхемы, выраженное в процентах.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.