Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
величина, определяемая отношением энергетической яркости поверхности, отражающей или пропускающей, к энергетической яркости совершенного рассеивателя при тех же условиях облучения.
Проведены численные исследования пространственно-энергетических характеристик излучения, полученного в неустойчивом резонаторе моноимпульсного лазера с динамическим градиентным отражателем (ДГО), построенным на основе модифицированного интерференционного отражателя, в конструкции которого использован НПВО-модулятор. Наибольшее значение яркости выходного излучения достигнуто в неустойчивом резонаторе с коэффициентом увеличения 1.2 и коэффициентом усиления слабого сигнала ~10.
Приводятся математические соотношения, а также полученные с их использованием количественные оценки радиационных контрастовназемного объекта на различных фонах наблюдения в диапазонах длин волн 3-5 мкм и 8-14 мкм, типовых для тепловизионных средств обнаружения
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
лампа, тело накала которой находится в колбе, наполненной смесью инертных газов, галогенов и их соединений.
составляющая шума прибора СВЧ, вызванная тепловым движением носителей заряда.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве