Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
отношение относительной дезаккомодации к начальной магнитной проницаемости, измеренной через заданный интервал времени после динамического размагничивания.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.
материал, изготовленный из металлического порошка или из его смеси с неметаллическим порошком.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне