Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
кэш-память, расположенная вне кристалла, на котором размещен процессор; емкость кэш-памяти второго уровня, как правило, превышает емкость кэш-памяти первого уровня.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
газовый лазер, в котором лазерные переходы происходят между уровнями энергии молекул.
контакт-деталь, жестко или упруго связанная с неподвижной частью устройства.