Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
изменение коэффициента преобразования виброизмерительного преобразователя, вызванное отклонением влияющей величины от ее нормального значения или выходом ее за пределы нормальной области значений.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
необратимая тонкослойная регистрирующая среда, содержащая светочувствительные наночастицы галогенидов серебра в желатиновой матрице.
камера, содержащая в качестве радиатора газ гелий-3.