Глобальная оптимизация радиоэлектронной схемы
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
проникновение неравновесных носителей заряда в полупроводник под действием электрического поля.
Изучали возможность интенсифицировать процессы образования/окисления атомарного водорода на поверхности сплава путем активации его поверхности небольшими количествами высокодисперсных катализаторов, ускоряющих протекание этих процессов. Также изучалась возможность реализации эффекта активации на дисперсном электроде, моделирующем реальный анод металлогидридного аккумулятора.
В работе исследован процесс модификации битумов в инжекторном смесителе. Изучено влияние геометрических и режимных параметров, интенсивности закрутки потока на характеристики смешения. Приведенный анализ показывает, что наилучшего смешения можно добиться в сильно закрученном потоке при расположении инжектора в непосредственной близости от завихрителя.
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
наводки от импульсных напряжений на электродах и геометрический шум.