оптическое излучение, у которого длины волн больше длин волн видимого излучения; для инфракрасного излучения диапазон между 780 нм и 1 мм подразделяют на поддиапазоны.
Инфракрасное излучение....
Открытие инфракрасного излучения
Определение 1
Под инфракрасным излучением (ИК) понимается форма...
чувствительными к нагреву инфракрасным излучением....
Применение инфракрасного излучения
Инфракрасное излучение находит широкое применение, как в быту, так...
И здесь инфракрасное излучение нашло применение.
Предложена методика инженерного расчета уходящего инфракрасного излучения на основе решения уравнения переноса энергии для стационарного поля излучения в системе поверхность Земли атмосфера с учетом допустимых приближений. Разработана и верифицирована по экспериментальным данным математическая модель, позволяющая рассчитывать спектральные распределения и интегральные значения интенсивности инфракрасного излучения для заданного углового положения наблюдателя за пределами атмосферы
на анализе теплового или инфракрасного излучения....
Пассивные инфракрасные датчики не испускают никакого излучения, они только анализируют входящие тепловые...
излучения....
В том случае, когда в поле зрения появляется излучающий инфракрасные лучи объект, излучение в первую...
эффективное функционирование инфракрасного датчика излучения необходимо придерживаться следующих правил
Приведено описание конструкции и технические характеристики серии полупроводниковых инфракрасных источников излучения на основе фрактально структурированных нанокомпозитных пленок селенида свинца и твердых растворов на его основе. Требуемые спектральные характеристики источников излучения могут быть сформированы за счет введения в конструкцию прибора оптических интерференционных фильтров.
характеристика, определяемая близостью результатов испытаний идентичных образцов одного и того же объекта по одной и той же методике в разных лабораториях, разными операторами с использованием различного оборудования.
время, прошедшее с момента измерения измеряемой величины или начала принудительного цикла измерения до момента получения нового результата измерения на отсчетном устройстве с нормированной погрешностью.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
