Глобальная оптимизация радиоэлектронной схемы
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса.
усиления сигналов в области звуковых частот), а также широкополосные усилители (используются для усиления импульсных...
, показывающий соотношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы; максимальная рассеиваемая...
и базой, напряжение насыщение эмиттера, предельная частота до которой коэффициент усиления передачи...
электрического тока больше единицы; максимальное напряжение между эмиттером и коллектором, которое у...
производится следующим образом:
$Uб = Uбэ + Uэ$
в данном случае возьмем падение напряжение на базе-эмиттер
Разработаны и изучены методы создания острийных полевых эмиттеров с покрытиями из молекул фуллерена C60 Определены закономерности и механизмы формирования микроструктур на поверхности фуллереновых покрытий в процессе их создания, а также при термической и полевой их обработке. Созданы эмиттеры с фуллереновым покрытием, обеспечивающие стабильные токи до 150 мкА в статическом и до 1.5-2 мА в импульсном режимах с одиночного субмикронного острия. Изучено активирование полевых эмиттеров с фуллереновым покрытием потоками атомов и ионов калия. Установлено, что активированные потоком атомов калия эмиттеры быстро дезактивируются, и объяснен механизм дезактивировки. Показано, что долговременного снижения рабочих напряжений ориентировочно в два раза удается достичь, обрабатывая фуллереновое покрытие потоком ионов калия. Получены данные, свидетельствующие о том, что повышенная эффективность активировки эмиттеров потоком ионов калия может быть связана с формированием в фуллереновом покрытии эндо...
Средний ток диода.
Максимальный импульсный ток диода - единичный импульс и повторяющиеся импульсы....
:
$Iср = I/2$
Максимальный импульсный тока представляет собой пиковое значение тока, которое он способен...
будет иметь вид:
$k = Ik/Iэ$
где: Ik - электрический ток коллектора; Iэ - электрический ток эмиттера...
:
$Rвх = Uбэ/Iб$
С общим коллектором:
$Rвх = (Uбэ+Uкэ) / Iб$
где: Uэб - напряжение база-эмиттер; Uкэ...
- напряжение коллектор - эмиттер
Определение основных параметров биполярных транзисторов трудоемкий процесс
Тема и цель исследования. Приведены данные о последних достижениях авторов по разработке и исследованию полевых эмиттеров для электронно-пучковых СВЧ приборов миллиметрового и субмиллиметрового диапазона длин волн. Методы. Описаны методы создания и характеристики представляющих большой практический интерес катодов нового типа: многоострийных кремниевых катодов с двухслойными металлфуллереновыми покрытиями, а также многослойных нано-структурированных катодов, эмиссия которых определяется полями у контакта материалов с разной работой выхода. Для оптимизации катодов и определения их эмиссионных характеристик проводились численные расчеты и экспериментальные исследования. Важнейшие отличительные черты использованных экспериментальных установок: _ возможно оперативное изменение давления от минимального 10 -9-10 -10 Torr до 10 -6 Torr и обратно; _ возможно проведение ряда технологических операций непосредственно в вакуумной камере, в том числе, по нанесению и обработке покрытий; _ возможн...
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
отрицательное анодное напряжение тиристора.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве