Ангстрем
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
метод нанесения покрытий путем конденсации на подложке компонентов паровой фазы.
Рассматривается метод формирования слоя нитрида кремния, применяемого в качестве маски при изготовлении планарных транзисторов. Качественные слои получаются при использовании газофазовых реакций. Получены и исследованы зависимости скорости осаждения слоев нитрида кремния от рабочей температуры, расстояния между подложками, давления в реакторе.
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
контраст на изображении, возникающий вследствие дифракции излучения.
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).