Водопоглощение диэлектрика
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
метод нанесения покрытий путем конденсации на подложке компонентов паровой фазы.
Рассматривается метод формирования слоя нитрида кремния, применяемого в качестве маски при изготовлении планарных транзисторов. Качественные слои получаются при использовании газофазовых реакций. Получены и исследованы зависимости скорости осаждения слоев нитрида кремния от рабочей температуры, расстояния между подложками, давления в реакторе.
количество воды, поглощаемое диэлектриком в водной среде.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
декоративный и ювелирный сплав цинка, содержащий 45% Сu и заменяющий платину в украшениях.