Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
реакция приемника на оптическое излучение.
Целью работы является повышение фоточувствительности к излучению, вызывающему люминесценцию селенида цинка (ZnSe) к ультрафиолетовым, рентгеновским лучам и лазерному излучению путем прямой передачи фотосигнала от сцинтиллятора к фотоприемнику за счет накопления зарядов на поверхности фотоприемника и исключение источника внешнего напряжения.
Представлены результаты экспериментального исследования влияния магнитных наночастиц оксида железа (Fe3O4) на оптовременные характеристики нематических жидких кристаллов. Результаты исследования показывают, что введение наночастиц Fe3O4 в нематическую среду сокращает оптическое время отклика в электрическом поле. При этом уменьшается максимальное значение напряжения фотосигнала, что свидетельствует о снижении прозрачности образцов. Для чистых жидких кристаллов осциллограммы со временем не меняются
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
преобразование номера приходящего входного сигнала в выходной двоичный код.