Зона равноосных кристаллов
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное исключительно действием оптического излучения и не связанное с его нагреванием.
Исследован фоторезистивный эффект в фотоэлектрохимическом элементе фосфид индия (n-InP) /оранжевый азокраситель (ОАК)/проводящее стекло (ПС). Показано, что при освещении этого элемента светом его сопротивление снижается. Данный элемент может быть использован для демонстрационных целей в измерительной технике и в оптических системах связи.
Методом импульсно-плазменного ионно-стимулированного синтеза получены пленки двумерно-упорядоченного линейно-цепочечного sp 1-углерода, модифицированные металлами на подложке из монокристаллического кремния. Получены фоточувствительные элементы гибридной кремний-углеродной электроники, которые могут быть использованы при изготовлении различных элементов фотовольтаики.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).
пластмасса с использованием полимеров, в которых повторяющиеся структурные звенья в цепях относятся к эфирному типу и также присутствуют другие типы повторяющихся структурных звеньев, причем сложноэфирный компонент или компоненты представлены в наибольшем количестве.