изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное исключительно действием оптического излучения и не связанное с его нагреванием.
Исследован фоторезистивный эффект в фотоэлектрохимическом элементе фосфид индия (n-InP) /оранжевый азокраситель (ОАК)/проводящее стекло (ПС). Показано, что при освещении этого элемента светом его сопротивление снижается. Данный элемент может быть использован для демонстрационных целей в измерительной технике и в оптических системах связи.
Методом импульсно-плазменного ионно-стимулированного синтеза получены пленки двумерно-упорядоченного линейно-цепочечного sp 1-углерода, модифицированные металлами на подложке из монокристаллического кремния. Получены фоточувствительные элементы гибридной кремний-углеродной электроники, которые могут быть использованы при изготовлении различных элементов фотовольтаики.
интервал времени от нанесения клея до соединения склеиваемых поверхностей в условиях окружающей среды; время открытой выдержки необходимо для удаления растворителя из полимерного клеевого слоя, заполнения клеем неровностей и пор, вытеснения из них воздуха и образования на склеиваемой поверхности слоя клея равномерной толщины.
химическоe соединениe элемента с кислородом.
полимер этилена [этена].
