Глобальная оптимизация радиоэлектронной схемы
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
технология, использующаяся припроизводстве интегральпых схем полупроводниковых приборов, тонкопленочных элементов и печатных плат; в основе этой технологии лежит способ создания прибора путем облучения (световым или радиационным излучением) фоторезистивных слоев, лежащих на поверхности исходного материала, через «фотомаску».
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.
энергия, переносимая излучением импульсной лампы.