Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
профиль боковой поверхности полупроводникового кристалла силового полупроводникового прибора; в зависимости от угла наклона фаски с плоскостью р-п-перехода различают прямую фаску (тупой угол), обратную фаску (острый угол), двухступенчатую фаску (с изменяющимся углом профиля), ласточкин хвост (профиль, образованный двумя прямыми, имеющими разное направление наклона).
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
радиочастоты 30-300 ггц.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.